Diodes Inc. DMN30H4D0L-7
$ 0.264
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | DMN30H4D0L-7 | 0 | 1 | 4h | ||||||||
| Newark | DMN30H4D0L-7 | 0 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | DMN30H4D0L-7 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | DMN30H4D0L-7 | 0 | 3K | 7h | ||||||||
| Arrow Electronics | DMN30H4D0L-7 | 0 | 3K |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -100%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | Fußabdruck | Herunterladen | |
 Ultra Librarian | SymbolFußabdruck | Herunterladen |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-02-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)
Verwandte Teile
InfineonBSS138NH6433XTMA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 230 mA, 3.5 Ohm, SOT-23, 3 Pins, Surface Mount
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMN30H4D0L-7, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 300V 250MA SOT23 / N-Channel 300 V 250mA (Ta) 310mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Mosfet, N-Ch, 300V, 0.25A, Sot-23 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN30H4D0L-7
MOSFET N-Ch Enh FET 300V 20Vgs 0.25A 0.31W
300V 250mA 310mW 4Ω@10V,300mA 3V@250uA N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Trans MOSFET N-CH 300V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 300 V, RoHS
Diodes Inc SCT
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 300V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-236-3
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)250 mA
Drain to Source Breakdown Voltage300 V
Drain to Source Resistance4 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)300 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance187.3 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation470 mW
Min Breakdown Voltage300 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation310 mW
Rds On Max4 Ω
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time25.8 ns
Turn-On Delay Time4.9 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Datenblätter und Dokumente
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