Diodes Inc. DMN2990UFZ-7B
$ 0.128
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | DMN2990UFZ-7BDICT-ND | 1.282 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Newark | DMN2990UFZ-7B | 6.253 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | DMN2990UFZ-7B | 5.051 | 1776 | |||||||||
| Verical | DMN2990UFZ-7B | 5.051 | 1776 | |||||||||
| TME | DMN2990UFZ-7B | 0 | 10K | 7h |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-02-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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Small Signal MOSFET 20V 280mA 3.4 Ohm Single P-Channel SOT-723 with ESD Protection
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMN2990UFZ-7B, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Mosfet, N-Ch, 20V, 0.25A, X2-Dfn0606 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN2990UFZ-7B
N-Channel 20 V 990 mOhm Enhancement Mode Mosfet - X2-DFN0606-3
Trans MOSFET N-CH 20V 0.25A 3-Pin X2-DFN T/R
MOSFET 20V N-Ch Enh FET Dual .25A .32W 389pF
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-Channel Mosfet, 20V VDS, 8±V VGS
Diodes Inc SCT
MOSFET, N-CH, 20V, 0.25A, X2-DFN0606;
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Capacitance389 pF
Continuous Drain Current (ID)250 mA
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance990 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance55.2 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation320 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max990 mΩ
Rise Time2.1 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time22 ns
Turn-On Delay Time3.5 ns
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