Diodes Inc. DMN2040LTS-13
$ 0.209
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMN2040LTS-13 | 1.785 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMN2040LTS-13 | 2.012 | 1 | 2h | ||||||||
| DigiKey | 31-DMN2040LTS-13CT-ND | 2.803 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | DMN2040LTS-13 | 0 | 2500 | 1d | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | DMN2040LTS-13 | 0 | 125 | Bulk | 19h |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-11-24
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMN2040LTS-13, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 20V 6.7A Automotive 8-Pin TSSOP T/R
Mosfet Bvdss: 8V~24V Tssop-8 T&r 2.5K Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN2040LTS-13
DMN2040 Series 20 V 890 mW 6.7 A Dual N-Channel MOSFET TSSOP-8
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 6.7 A, 6.7 A, 0.019 ohm
MOSFET, DUAL, N-CH, 20V, 6.7A;
890mW 12V 1.2V@ 250¦ÌA 5.2nC@ 4.5V 2N 20V 26m¦¸@ 6A,4.5V 6.7A 570pF@10V TSSOP-8 3.03mm*4.43mm*1.2mm
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET TSSOP8
Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 20V, 0.026ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-Channel Mosfet, 20V VDS, 12±V VGS
Diodes Inc SCT
MOSFET ENHANCE MODE MOSFET DUAL N-CHAN
场效应管, MOSFET, 双路, N沟道, 20V, 6.7A;
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTSSOP
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight157.991892 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance26 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time6.1 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance570 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation890 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation890 mW
Rds On Max26 mΩ
Rise Time13.5 ns
Turn-Off Delay Time19.8 ns
Turn-On Delay Time5.2 ns
Dimensions
Height1.025 mm
Length4.5 mm
Width3.1 mm
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen