Diodes Inc. DMMT5551S-7-F
$ 0.133
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMMT5551S-7-F | 860 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | DMMT5551S-7-FDICT-ND | 1.291 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMMT5551S-7-F | 0 | 1 | 23h | ||||||||
| Avnet | DMMT5551S-7-F | 0 | 3K | 12h | ||||||||
| Arrow Electronics | DMMT5551S-7-F | 0 | 3K |
Bestandsverlauf
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 SnapEDA | Fußabdruck | Herunterladen |
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Verwandte Teile
Diodes Inc.DMMT5551-7-F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 160V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
ToshibaHN1C01F-Y(TE85L,F)
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
ToshibaRN4606(TE85L,F)
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, NPN and PNP, Silicon
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMMT5551S-7-F, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 160V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
200mV@ 5mA,50mA 2 NPN (Dual) Matched Pair 300mW 6V 50nA 180V 160V 200mA SOT-26 3mm*1.6mm*1.1mm
Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR
High Voltage Transistor (Matched hFE, VCE(sat) & VBE(sat)), 0.2A, 0.3W
Diodes Inc SCT
BIPOLAR TRANS, DUAL NPN, 160V, SOT-26; Transistor Polarity:Dual NPN; Collector Emitter Voltage Max NPN:160V; Collector Emitter Voltage Max PNP:-; Continuous Collector Current NPN:200mA; Continuous Collector Current PNP:- RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-26
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight29.993795 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)180 V
Collector Emitter Breakdown Voltage160 V
Collector Emitter Saturation Voltage200 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)160 V
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min30
Max Breakdown Voltage160 V
Max Collector Current200 mA
Max Frequency300 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape & Reel
PolarityNPN
Power Dissipation300 mW
Transition Frequency100 MHz
Dimensions
Height1.1 mm
Length3 mm
Width1.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen