Diodes Inc. DMJT9435-13
$ 0.194
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 31-DMJT9435-13CT-ND | 36 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMJT9435-13 | 0 | 1 | 3h | ||||||||
| Future Electronics | DMJT9435-13 | 0 | 2500 | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | DMJT9435-13 | 0 | 2500 | 1d | ||||||||
| Arrow Electronics | DMJT9435-13 | 0 | 2500 |
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Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMJT9435-13, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 30 V, 800 mA, 1.2 W, SOT-223, Surface Mount
DMJT9435 Series 30 V 3 A Low VCE(SAT) PNP Surface Mount Transistor - SOT-223
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Trans GP BJT PNP 30V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Bipolar Transistors - BJT LOW VSAT PNP SMT
550mV@ 300mA,3A PNP 2W 6V 45V 30V 3A SOT-223-3 6.5mm*3.5mm*1.6mm
TRANSISTOR, PNP, SOT223, 1.2W; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30V; Transition Frequency ft: 160MHz; Power Dissipation Pd: 1.2W; DC Collector Current: 800mA; DC Current Gain hFE: 125hFE; Transisto
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-223
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals4
Weight7.994566 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)45 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage-550 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency160 MHz
Gain Bandwidth Product160 MHz
hFE Min90
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current3 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
PolarityPNP
Transition Frequency160 MHz
Dimensions
Height1.6 mm
Length6.5 mm
Width3.5 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen