Diodes Inc. DMG4466SSS-13
$ 0.161
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMG4466SSS-13 | 1.030 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | DMG4466SSS-13DICT-ND | 11.286 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMG4466SSS-13 | 0 | 1 | 1d | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | DMG4466SSS-13 | 0 | 25 | Bulk | 14h | |||||||
| Avnet | DMG4466SSS-13 | 0 | 2500 | 3h |
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 4.9A Ta 6.4A 2W 6.5ns
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMG4466SSS-13, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 10 A, 0.015 ohm, SOIC, Surface Mount
Mosfet, N-Ch, 30V, 10A, Soic Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMG4466SSS-13
Trans MOSFET N-CH 30V 10A Automotive 8-Pin SO T/R
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 30V VDS, 25±V VGS
Diodes Inc SCT
MOSFET N-CHANNEL 30V 10A SOIC8
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
DiodesZetex NMOS, Vds=30 V, 10 A, SOIC, , 8
MOSFET N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD
N-Channel 30V 10A (Ta) 1.42W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance23 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3.1 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance478.9 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.42 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation1.42 W
Rds On Max23 mΩ
Rise Time7.9 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time14.6 ns
Turn-On Delay Time2.9 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.95 mm
Width3.95 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen