Diodes Inc. DMC3032LSD-13
$ 0.203
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMC3032LSD-13 | 1.615 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | DMC3032LSD-13 | 2.500 | 2500 | Tape & Reel | ||||||||
| TME | DMC3032LSD-13 | 2.180 | 1 | 10h | ||||||||
| DigiKey | DMC3032LSD-13DICT-ND | 2.694 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | DMC3032LSD-13 | 0 | 2500 | 2d |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-07-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.DMC3028LSD-13
Dual N/P-Channel 30 V 0.045/0.041 Ohm 5.2/16.4 nC 2.1 W Silicon Mosfet - SOIC-8
Diodes Inc.DMN3024LSD-13
Mosfet, Dual, N-Ch, 30V, 6.8A Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN3024LSD-13
Diodes Inc.DMN3024LSS-13
1.6W(Ta) 20V 3V@ 250¦ÌA 12.9nC@ 10 V 1N 30V 24m¦¸@ 7A,10V 6.4A 608pF@15V SOIC-8
InfineonIRF9410TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.03Ohm;ID 7A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V;gFS 14
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMC3032LSD-13, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N/P Channel 30 V 32/39 mO 2.9 nC Complementary Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
2.5W 20V 2.1V@ 250¦ÌA 9.2nC@ 10V 2N+2P 30V 32m¦¸@ 7A,10V 8.1A,7A 404.5pF@15V SOIC-8
Mosfet, Dual, N/P-Ch, 30V, 8.1A Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMC3032LSD-13
Trans MOSFET N/P-CH 30V 5.1A/7A 8-Pin SO T/R / MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SOP
Power Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 30V, 0.032ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance32 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time22.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance404.5 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Rds On Max32 mΩ
Rise Time6.5 ns
Turn-Off Delay Time50.1 ns
Turn-On Delay Time10.1 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen