Diodes Inc. DDTC114ELP-7
$ 0.153
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | DDTC114ELP-7 | 0 | 1 | 2h | ||||||||
| Avnet | DDTC114ELP-7 | 0 | 3K | 5h | ||||||||
| Future Electronics | DDTC114ELP-7 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Arrow Electronics | DDTC114ELP-7 | 0 | 3K | |||||||||
| Mouser | 621-DDTC114ELP-7 | 13 | 1 | Tape & Reel |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-01-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.DDTC114YLP-7
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
Diodes Inc.BC846BLP4-7B
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 65 V, 100 mA, 460 mW, X2-DFN1006, Surface Mount
Diodes Inc.DDTC143ZLP-7
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DDTC114ELP-7, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
DDTC114ELP Series 50 V 50 mA 250 mW NPN Small Signal Transistor - DFN-3
Trans Digital BJT NPN 50V 50mA 250mW 3-Pin DFN T/R
Bipolar Transistors - Pre-Biased 250mW Single (R1/R2)
NPN, 50V, 0.1A, DFN1006-3, 250mW
Diodes Inc SCT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
NPN DIGIT.TRS.10K/10K DFN1006-3
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDFN
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current50 mA
Element ConfigurationSingle
hFE Min90
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation250 mW
Transition Frequency250 MHz
Dimensions
Height470 µm
Length1 mm
Width600 µm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen