Diodes Inc. DDTA144ELP-7
$ 0.148
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | DDTA144ELP-7 | 0 | 1 | 12h | ||||||||
| Avnet | DDTA144ELP-7 | 0 | 3K | 22h | ||||||||
| Mouser | 621-DDTA144ELP-7 | 2.900 | 1 | Tape & Reel | ||||||||
| Microchip USA | DDTA144ELP-7 | 169 | 3500 | Tray | 1d | |||||||
| Component Stockers USA | DDTA144ELP-7 | 141.431 | 3d |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-01-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DDTA144ELP-7, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Bipolar Transistors - Pre-Biased 250mW Single (R1/R2)
Trans Digital BJT PNP 50V 200mA 250mW 3-Pin DFN T/R
800mV@ 1mA,40mA PNP - 250mW 100nA 50V 200mA DFN 1mm*600¦Ìm*470¦Ìm
PNP, 50V, 0.1A, DFN1006-3, 250mW
Diodes Inc SCT
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2A 3DFN
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDFN
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current100 mA
Element ConfigurationSingle
hFE Min250
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation250 mW
Transition Frequency250 MHz
Dimensions
Height470 µm
Length1 mm
Width600 µm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen