Diodes Inc. DCP55-13
$ 0.278
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | DCP55DICT-ND | 383 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Microchip USA | DCP55-13 | 132 | 3K | Tray | 8h | |||||||
| Component Stockers USA | DCP55-13 | 458 | 1d | |||||||||
| Win Source | WS-DCP55-13 | 2.500 | 280 | 16h | ||||||||
| Worldway Electronics | DCP55-13 | 15.014 | 7 | Tape & Reel | 15h |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-08-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2021-03-15
LTD Date2021-03-15
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DCP55-13, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Trans GP BJT NPN 60V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Bipolar Transistors - BJT 1W 60V
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-223
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight7.994566 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Continuous Collector Current1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency200 MHz
Gain Bandwidth Product200 MHz
hFE Min25
Max Breakdown Voltage60 V
Max Collector Current1 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN, PNP
Power Dissipation2 W
Transition Frequency200 MHz
Dimensions
Height1.65 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
Datenblätter und Dokumente
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