Diodes Inc. BST52TA
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
ROHM2SD1834T100
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ROHM2SD1898T100Q
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. BST52TA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
BST52 Series 80 V 500 mA NPN Silicon Planar Darlington Transistor - SOT-89-3
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Trans Darlington NPN 80V 0.5A 4-Pin (3+Tab) SOT-89 T/R
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, SOT-89; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:2000; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-89; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012); Av Current Ic:500mA; Collector Emitter Voltage Vces:1.3V; Continuous Collector Current Ic Max:500mA; Current Ic @ Vce Sat:500mA; Current Ic Continuous a Max:500mA; Current Ic hFE:500mA; Full Power Rating Temperature:25°C; Hfe Min:2000; No. of Transistors:1; Package / Case:SOT-89; Power Dissipation Pd:1W; Power Dissipation Ptot Max:1W; Pulsed Current Icm:1.5A; Termination Type:SMD; Transistor Type:Darlington; Voltage Vcbo:90V
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-89
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight51.993025 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)90 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.3 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Continuous Collector Current500 mA
Current Rating500 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)10 V
hFE Min2000
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current500 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation1 W
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Transition Frequency150 MHz
Voltage Rating (DC)80 V
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.5 mm
Width2.5 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen