Diodes Inc. BST39TA
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Stock
614,790
395,295
Authorized Distributors
6
5
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
SOT-89
-
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
350 V
-
Max Collector Current
500 mA
100 mA
Transition Frequency
70 MHz
70 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
500 mV
500 mV
hFE Min
40
40
Power Dissipation
1 W
1.3 W
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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Bipolar Transistor, (-)50V, (-)3A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP. ONSSPCDDENY1E7M;
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. BST39TA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 350 V, 500 mA, 1 W, SOT-89, Surface Mount
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
500mV@ 4mA,50mA NPN 2W 7V 20nA 400V 350V 500mA SOT-89-3 1.6mm
TRANSISTOR, PNP, 350V, SOT-89; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 350V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 1W; DC Collector Current: 500mA; DC Current Gain hFE: 40hFE; Transistor Case
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-89
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals3
Weight51.993025 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)400 V
Collector Emitter Breakdown Voltage350 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)350 V
Continuous Collector Current500 mA
Current Rating500 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency70 MHz
Gain Bandwidth Product70 MHz
hFE Min40
Max Breakdown Voltage350 V
Max Collector Current500 mA
Max Frequency70 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation1 W
Transition Frequency70 MHz
Voltage Rating (DC)350 V
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.5 mm
Width2.5 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen