Diodes Inc. BSS138DWQ-7
$ 0.16
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | BSS138DWQ-7 | 0 | 3K | 1d | ||||||||
| Newark | BSS138DWQ-7 | 0 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | BSS138DWQ-7 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | BSS138DWQ-7 | 0 | 3K | 3d | ||||||||
| Arrow Electronics | BSS138DWQ-7 | 0 | 3K |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-04-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. BSS138DWQ-7, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Mosfet, N-Ch, 50V, 0.2A, Sot-363 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. BSS138DWQ-7
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
MOSFET 2NCH 50V 200MA SOT363 / Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 200mA 200mW Surface Mount SOT-363
200mW 20V 1.5V@ 250¦ÌA 2N 50V 3.5¦¸@ 220mA,10V 200mA 50pF@10V SOT-363
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 50V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
Dual N-CH 50V 0,2A 3,5OhmSOT363
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-363
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)200 mA
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance3.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)50 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance50 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Breakdown Voltage50 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation200 mW
Rds On Max3.5 Ω
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Datenblätter und Dokumente
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