Diodes Inc. 2DD2661-13

DIODES INC. 2DD2661-13 Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 12 V, 170 MHz, 900 mW, 1 A, 270 hFE
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Diodes Inc. 2DD2661-13 herunter.

IHS

Datasheet5 SeitenVor 4 Jahren

Newark

Diodes Inc SCT

CAD-Modelle

Laden Sie Diodes Inc. 2DD2661-13 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
EE Concierge
SymbolFußabdruck
SnapEDA
Fußabdruck
Herunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-12-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2021-03-15
LTD Date2021-03-15

Verwandte Teile

Tape & Reel (TR) Surface Mount NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 100 @ 100mA 2V 100nA ICBO 500mW 150MHz
Tape & Reel (TR) Surface Mount NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 200 @ 100mA 2V 100nA ICBO 500mW 150MHz
Bipolar (BJT) Transistor NPN 25V 2A 150MHz 500mW Surface Mount SOT-89-3
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Diodes Inc.2DD2678-13
DIODES INC. 2DD2678-13 Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 12 V, 170 MHz, 900 mW, 1.5 A, 270 hFE
Diodes Inc.FCX617TA
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

Beschreibungen

Beschreibungen von Diodes Inc. 2DD2661-13, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

DIODES INC. 2DD2661-13 Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 12 V, 170 MHz, 900 mW, 1 A, 270 hFE
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Trans GP BJT NPN 12V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
TRANSISTOR, NPN, SOT89, 0.9W; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 12V; Transition Frequency ft: 170MHz; Power Dissipation Pd: 900mW; DC Collector Current: 1A; DC Current Gain hFE: 270hFE; Transistor C
Transistor, Npn, 12V, 1A, 900Mw, Sot-89; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage Max:12V; Continuous Collector Current:1A; Power Dissipation:900Mw; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:4Pins; Product Range:- Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. 2DD2661-13

Aliasnamen des Herstellers

Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Diodes Incorporated
  • DIODE
  • DII
  • DIO
  • DIODE INC
  • DC COMPONENTS
  • DIOD
  • YENYO
  • Diodes Zetex
  • MICRO COM
  • MICRO ELECTRONIC INS
  • Diodes Inc / Zetex
  • DIODE INCORPORATED
  • DIODES ZET
  • DIODSE
  • DINC
  • Diodes Inc Inc
  • DIOINC
  • FORMOSA MS
  • DIODES INC(RoHS)
  • ZETEX (DIODES INC)
  • DIODES INC/VISHAY
  • Diodes Incorporation
  • ZETEXDIODES
  • DIODES INC/VISH
  • Pericom
  • Diodes Incorporated

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • 1710678