Diodes Inc. 2DB1714-13
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Farnell | 2DB1714-13 | 0 | 5 | Cut Tape | 1d | |||||||
| Win Source | WS-2DB1714-13 | 240 | 120 | 1h | ||||||||
| Worldway Electronics | 2DB1714-13 | 16.547 | 7 | Tape & Reel | 1d | |||||||
| Aztech | 2DB1714-13 | 10.397 | 21h | |||||||||
| SHENGYU ELECTRONICS | 2DB1714-13 | 18.154 | 1 | 2d |
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-12-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
ROHM2SB1132T100R
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
ROHM2SB1132T100Q
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Diodes Inc.2DB1188R-13
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Diodes Inc.FCX1149ATA
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. 2DB1714-13, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
2DB1714 Series 30 V 2 A PNP Surface Mount Transistor - SOT-89-3
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Trans GP BJT PNP 30V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
PNP TRANSISTOR 30V 2A SOT89 RoHSconf
Bipolar Transistors - BJT LO VSAT PNP SMT 2.5K
TRANSISTOR, PNP, SOT89, 0.9W; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30V; Transition Frequency ft: 200MHz; Power Dissipation Pd: 900mW; DC Collector Current: 1.5A; DC Current Gain hFE: 270hFE; Transistor
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-89
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals3
Weight51.993025 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage-370 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency200 MHz
Gain Bandwidth Product200 MHz
hFE Min270
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current2 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Schedule B8541290080
Transition Frequency200 MHz
Dimensions
Height1.4 mm
Length4.5 mm
Width2.5 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen