Diodes Inc. 2DB1713-13

Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
$ 0.172
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Diodes Inc. 2DB1713-13 herunter.

IHS

Datasheet6 SeitenVor 2 Jahren

Newark

Future Electronics

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-100%

CAD-Modelle

Laden Sie Diodes Inc. 2DB1713-13 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
SnapEDA
Fußabdruck
Herunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-12-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Verwandte Teile

Diodes Inc.2DB1697-13
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Diodes Inc.FCX717TA
Trans GP BJT PNP 12V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R / TRANS PNP 12V 3A SOT89
Diodes Inc.2DA1797-13
2DA1797 Series SOT-89 50V 3A BJT PNP Surface Mount Bipolar Transistor
Bipolar Transistor, (-)50V, (-)3A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

Beschreibungen

Beschreibungen von Diodes Inc. 2DB1713-13, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
12V 900mW 270@500mA,2V 3A PNP SOT-89 Bipolar Transistors - BJT ROHS
DIODES INC. 2DB1713-13 Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 12 V, 180 MHz, 900 mW, 1.5 A, 270 hFE
PNP 12 V 3 A 900 mW Surface Mount Transistor - SOT-89-3L
Trans GP BJT PNP 12V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
General Purpose Transistors PNP Ic=3A Vceo=12V hfe=270~680 P=900mW SOT89-3L
TRANSISTOR, PNP, SOT89, 0.9W; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 12V; Transition Frequency ft: 180MHz; Power Dissipation Pd: 900mW; DC Collector Current: 1.5A; DC Current Gain hFE: 270hFE; Transistor

Aliasnamen des Herstellers

Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Diodes Incorporated
  • DIODE
  • DII
  • DIO
  • DIODE INC
  • DC COMPONENTS
  • DIOD
  • YENYO
  • Diodes Zetex
  • MICRO COM
  • MICRO ELECTRONIC INS
  • Diodes Inc / Zetex
  • DIODE INCORPORATED
  • DIODES ZET
  • DIODSE
  • DINC
  • Diodes Inc Inc
  • DIOINC
  • FORMOSA MS
  • DIODES INC(RoHS)
  • ZETEX (DIODES INC)
  • DIODES INC/VISHAY
  • Diodes Incorporation
  • ZETEXDIODES
  • DIODES INC/VISH
  • Pericom
  • Diodes Incorporated