Diodes Inc. 2DA1213Y-13
$ 0.166
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | 2DA1213Y-13 | 231 | 1 | 21h | ||||||||
| DigiKey | 2DA1213YDICT-ND | 1.113 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | 2DA1213Y-13 | 0 | 2500 | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | 2DA1213Y-13 | 0 | 2500 | 2d | ||||||||
| Arrow Electronics | 2DA1213Y-13 | 0 | 2500 |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-02-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
ROHM2SB1561T100Q
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Diodes Inc.DPLS350Y-13
Trans GP BJT PNP 50V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R / TRANS PNP 50V 3A SOT89-3
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. 2DA1213Y-13, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
50V 1W 120@500mA,2V 2A PNP SOT-89 Bipolar (BJT) ROHS
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Trans GP BJT PNP 50V 2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
500mV@ 50mA,1A PNP 1W 5V 100nA 50V 50V 2A SOT-89-3 4.5mm*2.5mm*1.5mm
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-89
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals3
Weight51.993025 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage-500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency160 MHz
Gain Bandwidth Product160 MHz
hFE Min20
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current2 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation1 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency160 MHz
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.5 mm
Width2.5 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen