Infineon CY7C1425BV18-200BZC
$ 34.6
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) Code3A991.b.2.a
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8542.32.00.41
Introduction Date2006-10-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonCY7C1412AV18-200BZXC
Surface Mount CY7C1412 Tray SRAM - Synchronous QDR II ic memory 200MHz 450ps 725mA 36Mb
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon CY7C1425BV18-200BZC, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
CY7C1425BV18 36 Mb (4 M x 9) 200 MHz 1.8 V DDR-II 2-Word Burst SRAM - FBGA-165
Obsolete 3-STATE 2003 BOTTOM SRAM Memory 0C~70C TA 1.7V 36Mb 0.35A
QDR SRAM, 4MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165
4M X 9 QDR SRAM 0.45 ns PBGA165
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageFBGA
Number of Pins165
Number of Terminals165
Technical
Access Time450 ps
Density36 Mb
Frequency200 MHz
InterfaceParallel
Max Frequency200 MHz
Max Operating Temperature70 °C
Max Supply Current700 mA
Max Supply Voltage1.9 V
Memory Size4.5 MB
Memory TypeQDR, RAM, SRAM
Min Operating Temperature0 °C
Min Supply Voltage1.7 V
Number of Circuits1
Operating Supply Voltage1.8 V
Temperature GradeCommercial
Dimensions
Height - Seated (Max)1.4 mm
Length17 mm
Terminal Pitch1 mm
Width15 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSNon-Compliant
Compliance-Erklärungen