Central Semiconductor 2N2222A
$ 1.187
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3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
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1 Teil verfügbar
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Offizielles DatenblattVor 2 Jahren
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Price @ 1000
$ 1.187
$ 0.243
Stock
101,389
7,638
Authorized Distributors
2
1
Mount
Through Hole
-
Case/Package
TO-18
-
Polarity
NPN
-
Collector Emitter Breakdown Voltage
40 V
-
Max Collector Current
800 mA
-
Transition Frequency
250 MHz
-
Collector Emitter Saturation Voltage
300 mV
-
hFE Min
100
-
Power Dissipation
500 mW
-
Beschreibungen
Beschreibungen von Central Semiconductor 2N2222A, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 600 mA, 500 mW, TO-18, Through Hole
Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18
Bulk Through Hole Single 3 Bipolar (BJT) Transistor 800mA 500mW 250MHz 285ns
2N Series 40 V 800 mA NPN Through Hole Silicon Transistor - TO-18
Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Box
Aliasnamen des Herstellers
Central Semiconductor verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Central Semiconductor ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- CENTRAL SEMI
- CENTRAL
- Central Semiconductor Corp
- CSC
- CEN
- CENTRAL SEMICONDUCTO
- CENT
- CENTRAL SEMICONDUCTORS
- CENTRALSEM
- Central Semicon
- CENT SEMI
- CNTRALSEMI
- CENTRAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
- CTLSEM
- CENTRAL SEMICOND
- CENTRAL SEMICONDUCTORS CORP
- Central Semiconductor Cor
- Central Semiconductor Inc
- CENTRAL SEMICONDUC
- CENTAL SEMI
- CENTRAL SEMI INC
- CENTILLIUM COMMUNICATIONS INC
- CENTRAL SEMI-CONDU
- NPN Central Semi
- CENTRAL SEMIN
- Central Semiconductor Corp.
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
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Alternative Teile
1 Teil verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Body MaterialMetal
Case/PackageTO-18
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)75 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency250 MHz
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min100
Max Collector Current800 mA
Max Frequency300 MHz
Max Junction Temperature (Tj)200 °C
Max Operating Temperature200 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation500 mW
Transition Frequency250 MHz
Dimensions
Height5.33 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSNon-Compliant
Compliance-Erklärungen