Alliance Memory AS6C1616A-55BIN
Obsolete
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Lieferkette
Country of OriginTaiwan
Export Control Classification Number (ECCN) Code3A991.b.2.a
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8542.32.00.41
Introduction Date2010-08-30
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 year ago)
LTB Date2021-01-31
LTD Date2021-06-30
Verwandte Teile
Alliance MemoryAS6C1616-70BIN
AS6C1616 Series 16 Mbit (1024 K x 16) 2.7 - 3.6 V 70 Asynchronous SRAM - FBGA-48
Alliance MemoryAS7C38098A-10BIN
8Mb £¨512K x 16£© 512 k x 16 3V 130mA 3.6V 1MHz Parallel BGA 6.05mm*8.05mm*1.05mm
128K x 16 LOW VOLTAGE ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM | IC SRAM 2M PARALLEL 48MINIBGA
256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM | IC SRAM 4M PARALLEL 48MINIBGA
Alliance MemoryAS6C8008-55BIN
AS6C8008 Series 8-Mbit (1024 K x 8) 3 V 55 ns CMOS Static RAM - TFBGA-48
Beschreibungen
Beschreibungen von Alliance Memory AS6C1616A-55BIN, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
AS6C1616A Series 16-Mbit (1024 K x 16) 2.7 to 3.6 V 55 ns Static RAM - TFBGA-48
SRAM Chip Async Single 3.3V 16M-Bit 1M x 16 55ns 48-Pin FBGA
Surface Mount Tray SRAM - Asynchronous SRAM ic memory 1MHz 55ns 10.05mm 16Mb
Low Power CMOS SRAM 16MB 48ball TFBGA 3V 1024k x 16
Standard SRAM, 1MX16, 55ns, CMOS, PBGA48
SRAM 1024Kx16 BGA48 -40/+85 RoHSconf
SRAM 16M, 2.7-3.6V, 55ns 1024K x 16 Asyn SRAM
IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48FPBGA
Aliasnamen des Herstellers
Alliance Memory verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Alliance Memory ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Alliance Memory Inc
- Alliance
- ALLIED-SIGNAL INC
- ALLIANCE MEMORY Datasheet
- ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORP
- Alliance Memory Semiconductor
- Aliance Memory
- Alliance Memory Inc
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTFBGA
MountSurface Mount
Number of Pins48
Number of Terminals48
Technical
Access Time55 ns
Address Bus Width20 b
Density16 Mb
Frequency1 MHz
InterfaceParallel
Max Operating Temperature85 °C
Max Supply Current8 mA
Max Supply Voltage3.6 V
Memory Size2 MB
Memory TypeRAM, SDR, SRAM - Asynchronous
Min Operating Temperature-40 °C
Min Supply Voltage2.7 V
Number of Circuits1
Number of Ports1
Number of Words1.024e+06
Operating Supply Voltage3.3 V
Temperature GradeIndustrial
Dimensions
Height700 µm
Height - Seated (Max)1 mm
Length10 mm
Terminal Pitch750 µm
Width8 mm
Datenblätter und Dokumente
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