Alliance Memory AS4C8M16SA-6BIN
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Lieferkette
Country of OriginTaiwan
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8542.32.00.02
Introduction Date2014-03-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
ISSIIS42S16400J-6BLI
IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA / 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
Beschreibungen
Beschreibungen von Alliance Memory AS4C8M16SA-6BIN, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
AS4C8M16SA Series 128 M (8 M x 16) 3.3 V 166 MHz SMT CMOS SDRAM - TFBGA-54
Dram, 166Mhz, 128Mbit, Tfbga-54 Rohs Compliant: Yes |Alliance Memory AS4C8M16SA-6BIN
128Mb £¨8M x 16£© 8Mx16 3V 62mA 3.6V 166MHz Parallel 16bit TFBGA-54
SDRAM 128MB 166Mhz 3.3V 8M x 16 54ball FBGA
DRAM Chip SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA Tray
EAR99 Surface Mount Tray 8MX16 ic memory 166MHz 5ns 8mm 134217728bit
Synchronous DRAM, 8MX16, 5ns, CMOS, PBGA54
动态随机存取存储器, 166MHZ, 128MB, TFBGA-54;
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA
Aliasnamen des Herstellers
Alliance Memory verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Alliance Memory ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Alliance Memory Inc
- Alliance
- ALLIED-SIGNAL INC
- ALLIANCE MEMORY Datasheet
- ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORP
- Alliance Memory Semiconductor
- Aliance Memory
- Alliance Memory Inc
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTFBGA
Number of Pins54
Number of Terminals54
Technical
Access Time5 ns
Frequency166 MHz
InterfaceParallel
Max Operating Temperature85 °C
Max Supply Voltage3.6 V
Memory TypeRAM, SDRAM
Min Operating Temperature-40 °C
Min Supply Voltage3 V
Number of Circuits1
Number of Ports1
Operating Supply Voltage3.3 V
Temperature GradeIndustrial
Dimensions
Height - Seated (Max)1.2 mm
Length8 mm
Terminal Pitch800 µm
Width8 mm
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