Alliance Memory AS4C16M16SB-6BIN

AS4C16M16SB 256-Mbit (16 M x 16) 3.6 V High-Speed CMOS Synchronous DRAM - TFBGA-54
$ 7.793
Production
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DistributorSKUMinPkg
DigiKey1450-AS4C16M16SB-6BIN-ND381Tray
NewarkAS4C16M16SB-6BIN3481
AvnetAS4C16M16SB-6BIN0348
15h
element14 APACAS4C16M16SB-6BIN471
1h
FarnellAS4C16M16SB-6BIN471
12h

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IHS

Datasheet56 SeitenVor 8 Jahren

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8542.32.00.24
Introduction Date2021-06-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von Alliance Memory AS4C16M16SB-6BIN, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

AS4C16M16SB 256-Mbit (16 M x 16) 3.6 V High-Speed CMOS Synchronous DRAM - TFBGA-54
Future Electronics
DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16M X 16 3.3V 54-Pin FBGA Tray
Avnet
Synchronous DRAM, 16MX16, 5ns, CMOS, PBGA54
IHS
SD 256Mb 16Mx16 PC166 Pb-FreeIndustrial Temp
Win Source
动态随机存取存储器, 256MB, 166MHZ, FBGA-54;
element14 APAC
SDR, 256MB, 16M X 16, 3.3V, 54-B
SHENGYU ELECTRONICS
Dram, 256Mbit, 166Mhz, Fbga-54; Dram Type:Sdram; Memory Configuration:16M X 16Bit; Clock Frequency Max:166Mhz; Ic Case/Package:Fbga; No. Of Pins:54Pins; Supply Voltage Nom:3.3V; Ic Mounting:Surface Mount; Product Range:- Rohs Compliant: Yes |Alliance Memory AS4C16M16SB-6BIN
Newark

Aliasnamen des Herstellers

Alliance Memory verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Alliance Memory ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Alliance Memory Inc
  • Alliance
  • ALLIED-SIGNAL INC
  • ALLIANCE MEMORY Datasheet
  • ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORP
  • Alliance Memory Semiconductor
  • Aliance Memory
  • Alliance Memory Inc

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • AS4C16M16SB6BIN