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Hangzhou Silan Microelectronics

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Ergebnisse: 134
N-channel drain source voltage (Vdss): 650V Continuous drain current (Id): 7A Power (Pd): 46W
Mosfet N-channel 100V 120A 208W TO-220-65L
650V 12A 51W 680mΩ@10V, 6A 4V@250uA 1 N-Channel TO-220F MOSFETs ROHS
Mosfet N-channel 100V 120A 208W TO-220-112L
Mosfet N-channel 100V 120A 208W TO-220-84L
Mosfet N-channel 100V 120A 208W TO-220-41L