Run Hong Electronics RAM

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Ergebnisse: 3.530
256K (32768 words X 8 bits) SRAM Control Pins: OE and CE
1M x 32Bit x 4 Banks Double Data Rate Synchronous DRAM with Bi-directional Data Strobe and DLL
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256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM
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High Performance 3.3 Volt 256K X 16 Edo Page Mode Cmos Dynamic Ram Optional Self Refresh
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IC 128K X 8 Standard SRAM, 85 Ns, PDSO32, 0.525 Inch, 1.27 Mm Pitch, Plastic, SOP-32, Static Ram
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Zbt SRAM, 512KX36, 3.5NS, Cmos, PBGA165
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