Vishay VQ2001P-1

Power Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 30V, 2ohm, 4-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Obsolete

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Datasheet2 页0 年前

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1991-01-01

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 weeks ago)

由其分销商提供的 Vishay VQ2001P-1 的描述。

Power Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 30V, 2ohm, 4-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

QSB14LD VPEA03

Vishay 在全球拥有多个品牌，分销商可将其用作替代名称。Vishay 也可称为以下名称：

Physical

Number of Terminals14

Technical

Continuous Drain Current (ID)600 mA

Drain to Source Resistance2 Ω

Max Operating Temperature150 °C

Min Breakdown Voltage30 V

Number of Elements4

下载 Vishay VQ2001P-1 的数据表和制造商文档。

Datasheet2 页0 年前

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合规声明