Vishay SQD19P06-60L_GE3

Name: Vishay SQD19P06-60L_GE3
Brand: Vishay
SKU: SQD19P06-60L_GE3

Single P-Channel 60 V 0.055 Ohm 46 W Surface Mount Power Mosfet - TO-252

$ 0.703

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		SQD19P06-60L_GE3	2,000	1		1.210	1.040	0.795	0.612	0.513
Arrow Electronics		SQD19P06-60L_GE3	4,000	2K						0.812
Future Electronics		SQD19P06-60L_GE3	2,000	2K	Tape & Reel					0.830
TME	2	SQD19P06-60L-GE3	688	1		2.380*	1.524*	1.033*	0.789*	0.761*	19h
DigiKey	3	SQD19P06-60L_GE3CT-ND	20,552	1	Cut Tape	2.290	1.467	0.995	0.727	0.727

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Datasheet9 页3 年前

IHS

TME

Future Electronics

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供应链

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

描述

由其分销商提供的 Vishay SQD19P06-60L_GE3 的描述。

Single P-Channel 60 V 0.055 Ohm 46 W Surface Mount Power Mosfet - TO-252

Future Electronics

P-Channel 60-V D-S, 175C Mosfet Rohs Compliant: Yes |Vishay SQD19P06-60L_GE3

Newark

Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.055ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252

IHS

MOSFET, AEC-Q101, P-CH, -60V, TO-252; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -20A; Drain Source Voltage Vds: -60V; On Resistance Rds(on): 0.046ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage Vgs: -

Farnell