Vishay SQ2301ES-T1_GE3

Name: Vishay SQ2301ES-T1_GE3
Brand: Vishay
SKU: SQ2301ES-T1_GE3

VISHAY SQ2301ES-T1-GE3 MOSFET Transistor, P Channel, -3.9 A, -20 V, 0.08 ohm, -4.5 V, -450 mV

$ 0.234

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Verical		SQ2301ES-T1_GE3	804	174					0.286	0.286
TME	2	SQ2301ES-T1-GE3	784	1		0.574	0.482	0.328	0.222	0.212	20h
DigiKey	3	742-SQ2301ES-T1_GE3CT-ND	764	1	Cut Tape	0.850	0.527	0.341	0.234	0.234
TTI		SQ2301ES-T1-GE3	0	3K	Tape & Reel						9h
Newark		SQ2301ES-T1_GE3	0	3K	Tape & Reel

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IHS

Datasheet9 页2 年前

Upverter

Newark

Farnell

element14 APAC

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供应链

Country of OriginGermany

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2010-10-15

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2025-08-22

LTD Date2026-02-24

描述

由其分销商提供的 Vishay SQ2301ES-T1_GE3 的描述。

VISHAY SQ2301ES-T1-GE3 MOSFET Transistor, P Channel, -3.9 A, -20 V, 0.08 ohm, -4.5 V, -450 mV

Fly-Wing Technology

Single P-Channel -20 V 0.18 Ohm 8 nC 3 W Silicon Mosfet - SOT-23

Future Electronics

Trans MOSFET P-CH 20V 3.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Verical

AUTOMOTIVE P-CHANNEL 20 V (D-S) 175 DEGREE CELSIUS MOSFET Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 20V, 0.12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB

ComSIT Distribution GmbH

Transistor Polarity:p Channel; Drain Source Voltage Vds:20V; Continuous Drain Current Id:3.9A; On Resistance Rds(On):0.08Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1.5V Rohs Compliant: No

Newark