SISS30ADN-T1-GE3 by Vishay

Vishay SISS30ADN-T1-GE3

Mosfet, N-Ch, 80V/54.7A/Powerpak 1212-8S Rohs Compliant: Yes |Vishay SISS30ADN-T1-GE3

$ 0.626

Production

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	Distributor		SKU		Min	Pkg
	Newark		SISS30ADN-T1-GE3	4,295	1	Cut Tape	1.790	1.140	0.776	0.615	0.615
	Verical		SISS30ADN-T1-GE3	6,000	6K						0.570
	Arrow Electronics		SISS30ADN-T1-GE3	6,000	6K						0.571
	DigiKey	3	742-SISS30ADN-T1-GE3CT-ND	8,985	1	Cut Tape	2.010	1.281	0.862	0.625	0.625
	TME	2	SISS30ADN-T1-GE3	0	1		1.470	1.020	0.780	0.780	0.780	20h

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Datasheet9 页4 年前

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供应链

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

描述

由其分销商提供的 Vishay SISS30ADN-T1-GE3 的描述。

Mosfet, N-Ch, 80V/54.7A/Powerpak 1212-8S Rohs Compliant: Yes |Vishay SISS30ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 15.9A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R

Power Field-Effect Transistor, 54.7A I(D), 80V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET

Vishay NMOS, Vds=80 V, 54.7 A, powerpak 1212-1e 8S, , 8

MOSFET N-CH 80V 15.9A/54.7A PPAK / N-Channel 80 V 15.9A (Ta), 54.7A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S

MOSFET N-CH 80V 15.9A/54.7A PPAK

Vigor Components

制造商别名

Vishay 在全球拥有多个品牌，分销商可将其用作替代名称。Vishay 也可称为以下名称：

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技术规格

Physical

Number of Terminals8

Technical

Continuous Drain Current (ID)54.7 A

Drain to Source Resistance10.5 mΩ

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation57 W

Min Breakdown Voltage80 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

Schedule B8541290080

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合规

环境分类

RoHSCompliant

合规声明

Rohs Statement5 页14 年前