Vishay SISA88DN-T1-GE3

Name: Vishay SISA88DN-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: SISA88DN-T1-GE3

Transistor MOSFET N-CH 30V 40.5A 8-Pin PowerPAK 1212

$ 0.266

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
DigiKey	3	SISA88DN-T1-GE3CT-ND	51,213	1	Cut Tape	0.980	0.610	0.396	0.275	0.275
TTI		SISA88DN-T1-GE3	12,000	3K	Tape & Reel					0.169	6h
TME	2	SISA88DN-T1-GE3	0	1		0.780	0.484	0.305	0.274	0.274	2h
Newark	2	SISA88DN-T1-GE3	0	1	Cut Tape	0.798	0.497	0.324	0.225	0.225
Future Electronics		SISA88DN-T1-GE3	0	3K	Tape & Reel					0.166

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IHS

Datasheet9 页5 年前

Future Electronics

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供应链

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2017-10-12

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

描述

由其分销商提供的 Vishay SISA88DN-T1-GE3 的描述。

Transistor MOSFET N-CH 30V 40.5A 8-Pin PowerPAK 1212

Avnet Japan

3.2W(Ta),19.8W(Tc) 20V,16V 2.4V@ 250¦ÌA 25.5nC@ 10 V 1N 30V 6.7m¦¸@ 10A,10V 16.2A,40.5A 985pF@15V

UnikeyIC

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

Future Electronics

Power Field-Effect Transistor, 40.5A I(D), 30V, 0.0067ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

MOSFET N-CH 30V 16.2A/40.5A PPAK

Vigor Components

Mosfet, N-Ch, 30V, 40.5A, 150Deg C; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40.5A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(On):0.0054Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.4V; Power Rohs Compliant: Yes |Vishay SISA88DN-T1-GE3

Newark