Vishay SISA24DN-T1-GE3

Name: Vishay SISA24DN-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: SISA24DN-T1-GE3

N-Channel 25 V 1.4 mOhm 52 W TrenchFET Gen IV Mosfet - PowerPAK 1212-8

$ 0.474

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	SISA24DN-T1-GE3	24,629	5	Cut Tape		0.879	0.582	0.454	0.454
Verical		SISA24DN-T1-GE3	190	18				0.342	0.342	0.342
Arrow Electronics		SISA24DN-T1-GE3	190	1		0.644	0.539	0.342	0.342	0.342
DigiKey	3	SISA24DN-T1-GE3CT-ND	3,292	1	Cut Tape	1.640	1.036	0.690	0.494	0.494
TME	2	SISA24DN-T1-GE3	0	1		1.766*	1.214*	0.732*	0.652*	0.652*	11h

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Newark

Datasheet9 页4 年前

Datasheet7 页9 年前

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供应链

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2017-06-21

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

描述

由其分销商提供的 Vishay SISA24DN-T1-GE3 的描述。

N-Channel 25 V 1.4 mOhm 52 W TrenchFET Gen IV Mosfet - PowerPAK 1212-8

Future Electronics

Mosfet, N-Ch, 25V, 60A, Powerpak 1212 Rohs Compliant: Yes |Vishay SISA24DN-T1-GE3

Newark

Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

Verical

52W(Tc) 20V,16V 2.1V@ 250¦ÌA 26nC@ 4.5 V 1N 25V 1.4m¦¸@ 15A,10V 60A 2.65nF@10V 3.3mm*3.3mm*1.04mm

UnikeyIC

Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 25V, 0.0014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

MOSFET, N-CH, 25V, 60A, POWERPAK 1212; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):0.00115ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2

element14 APAC