Vishay SIS410DN-T1-GE3

Name: Vishay SIS410DN-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: SIS410DN-T1-GE3

Single N-Channel 20 V 0.0048 Ohm 52 W SMT Power Mosfet - PowerPAK-1212-8

$ 0.609

Production

制造商页面数据表

价格与库存

授权分销商

未经授权的库存分销商

非授权经销商

查看所有价格优惠

Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	4	SIS410DN-T1-GE3	3,000	1	Cut Tape	1.390	1.390	0.835	0.697	0.697
Arrow Electronics		SIS410DN-T1-GE3	3,000	3K						0.334
Verical		SIS410DN-T1-GE3	3,000	3K						0.328
DigiKey	2	SIS410DN-T1-GE3CT-ND	2,150	1	Cut Tape	1.720	1.088	0.726	0.521	0.521
TTI		SIS410DN-T1-GE3	3,000	3K	Tape & Reel					0.350	1d

数据表和文档

下载 Vishay SIS410DN-T1-GE3 的数据表和制造商文档。

Farnell

Datasheet13 页8 年前

Datasheet13 页9 年前

Datasheet13 页11 年前

Future Electronics

element14 APAC

库存历史记录

3 个月趋势:

-12.07%

CAD 模型

从我们值得信赖的合作伙伴处下载 Vishay SIS410DN-T1-GE3 符号、封装和 3D STEP 模型。

来源	eCAD	mCAD	文件
Component Search Engine	符号封装	3D	下载
Ultra Librarian	符号封装		下载

下载 CAD 模型时，合作伙伴网站将在新标签页中打开

从 Octopart 下载 CAD 模型，即表示您同意我们的条款和条件以及隐私政策。

供应链

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)

描述

由其分销商提供的 Vishay SIS410DN-T1-GE3 的描述。

Single N-Channel 20 V 0.0048 Ohm 52 W SMT Power Mosfet - PowerPAK-1212-8

Future Electronics

N-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 20V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

ComSIT Distribution GmbH

MOSFET, N-CH, 20V, 35A, POWERPAK8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:35A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):4mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:5.2W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PowerPAK 1212; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:35A; Power Dissipation Pd:5.2W; Voltage Vgs Max:20V

element14 APAC