SIRA20BDP-T1-GE3 by Vishay

Vishay SIRA20BDP-T1-GE3

Power MOSFET, N Channel, 25 V, 335 A, 0.00048 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount

$ 0.94

Production

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	Distributor		SKU		Min	Pkg
	Avnet		SIRA20BDP-T1-GE3	6,000	3K						0.813	1d
	DigiKey	3	742-SIRA20BDP-T1-GE3CT-ND	7,864	1	Cut Tape	2.820	1.819	1.248	0.940	0.940
	TME	2	SIRA20BDP-T1-GE3	0	1		2.603*	1.813*	1.209*	1.058*	1.058*	1h
	TTI		SIRA20BDP-T1-GE3	0	6K	Tape & Reel					0.770	13h
	Newark		SIRA20BDP-T1-GE3	0	1	Cut Tape	2.720	1.750	1.210	0.968	0.968

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IHS

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供应链

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2020-09-30

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

描述

由其分销商提供的 Vishay SIRA20BDP-T1-GE3 的描述。

Power MOSFET, N Channel, 25 V, 335 A, 0.00048 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount

Trans MOSFET N-CH 25V 82A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

N-Channel 25-V (D-S) Mosfet |Vishay SIRA20BDP-T1-GE3

MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK / N-Channel 25 V 82A (Ta), 335A (Tc) 6.3W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Vishay NMOS TrenchFET, Vds=25 V, 335 A, PowerPak SO-8, , 8

Power Field-Effect Transistor, 335A I(D), 25V, 0.00082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

图片

制造商别名

Vishay 在全球拥有多个品牌，分销商可将其用作替代名称。Vishay 也可称为以下名称：

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技术规格

Physical

Number of Terminals8

Technical

Continuous Drain Current (ID)335 A

Drain to Source Resistance820 µΩ

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation104 W

Min Breakdown Voltage25 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

数据表和文档

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IHS

Datasheet9 页2 年前

合规

环境分类

RoHSCompliant

合规声明

Rohs Statement5 页14 年前