Vishay SIR182DP-T1-RE3

Name: Vishay SIR182DP-T1-RE3
Brand: Vishay
SKU: SIR182DP-T1-RE3

TrenchFET Gen IV Power MOSFET N-Channel Single 60V VDS ±20V VGS 60A ID 8-Pin PowerPAK SOIC T/R

$ 0.969

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	SIR182DP-T1-RE3	8,690	1	Cut Tape	2.420	1.570	1.080	0.827	0.827
Verical		SIR182DP-T1-RE3	6,000	6K						0.804
Arrow Electronics		SIR182DP-T1-RE3	6,000	6K						0.804
DigiKey	3	SIR182DP-T1-RE3CT-ND	24,512	1	Cut Tape	2.880	1.862	1.279	0.969	0.969
TTI		SIR182DP-T1-RE3	36,000	3K	Tape & Reel					0.665	1d

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Future Electronics

Datasheet13 页2 年前

IHS

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供应链

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

描述

由其分销商提供的 Vishay SIR182DP-T1-RE3 的描述。

TrenchFET Gen IV Power MOSFET N-Channel Single 60V VDS ±20V VGS 60A ID 8-Pin PowerPAK SOIC T/R

Fly-Wing Technology

Trans MOSFET N-CH 60V 117A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Verical

MOSFETs N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=31.4A RDS(ON)=2.8mΩ@10V PowerPAK®SO-8

HQonline

60V 60A 2.8mΩ@10V,15A 69.4W N Channel PowerPAK-SO-8 MOSFETs ROHS

Dasenic

Power Field-Effect Transistor, 117A I(D), 60V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

69.4W(Tc) 20V 3.6V@ 250¦ÌA 64nC@ 10 V 1N 60V 2.8m¦¸@ 15A,10V 60A 3.25nF@30V PPAKSO-8 4.9mm*5.89mm*1.07mm

UnikeyIC

MOSFET N-CH 60V 60A POWERPAKSO-8

YIC International

MOSFET, N-CH, 60V, 0.06A, POWERPAK SO; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 60A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.0023ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.

Farnell