SIJA22DP-T1-GE3 by Vishay

Vishay SIJA22DP-T1-GE3

Transistor MOSFET N-CH 25V 201A 8-Pin PowerPAK SO

$ 0.804

Production

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价格与库存

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	Distributor		SKU		Min	Pkg
	DigiKey	3	742-SIJA22DP-T1-GE3CT-ND	2,181	1	Cut Tape	2.500	1.605	1.093	0.804	0.804
	Newark	2	SIJA22DP-T1-GE3	2,176	5	Cut Tape		1.720	1.250	1.150	1.150
	TTI		SIJA22DP-T1-GE3	0	6K	Tape & Reel					0.670	19h
	Avnet		SIJA22DP-T1-GE3	0	6K						0.743	19h
	TTI Asia		SIJA22DP-T1-GE3	联系方式							0.810	21h

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供应链

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

描述

由其分销商提供的 Vishay SIJA22DP-T1-GE3 的描述。

Transistor MOSFET N-CH 25V 201A 8-Pin PowerPAK SO

N-Channel 25-V (D-S) Mosfet |Vishay SIJA22DP-T1-GE3

Vishay NMOS TrenchFET, Vds=25 V, 201 A, PowerPAK SO-8L, , 4

Power Field-Effect Transistor, 201A I(D), 25V, 0.0014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

图片

制造商别名

Vishay 在全球拥有多个品牌，分销商可将其用作替代名称。Vishay 也可称为以下名称：

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技术规格

Physical

Number of Terminals4

Technical

Continuous Drain Current (ID)201 A

Drain to Source Resistance1.4 mΩ

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation48 W

Min Breakdown Voltage25 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

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合规

环境分类

RoHSCompliant

合规声明

Rohs Statement5 页14 年前