Vishay SIHU4N80AE-GE3

Name: Vishay SIHU4N80AE-GE3
Brand: Vishay
SKU: SIHU4N80AE-GE3

E-Series Power Mosfet, Single - N-Channel, 800V, 4.1A, TO-251

$ 0.877

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		SIHU4N80AE-GE3	2,877	1	Cut Tape	2.700	1.660	1.210	1.020	1.020
Onlinecomponents.com		SIHU4N80AE-GE3	5,915	60	Bulk			1.100	1.050	0.970
DigiKey		742-SIHU4N80AE-GE3-ND	2,894	1	Tube	2.310	1.477	1.002	0.733	0.608
TME	2	SIHU4N80AE-GE3	0	3K						1.104*	8h
TTI		SIHU4N80AE-GE3	0	3K	Tape & Reel					0.649	19h

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Datasheet10 页4 年前

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供应链

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2019-03-14

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

描述

由其分销商提供的 Vishay SIHU4N80AE-GE3 的描述。

E-Series Power Mosfet, Single - N-Channel, 800V, 4.1A, TO-251

Distrelec

Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK

Verical

Vishay NMOS, Vds=800 V, 4.1 A, IPAK (TO-251), , 3

UnikeyIC

Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 800V, 1.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA

IHS

N-Channel 800V |Vishay SIHU4N80AE-GE3

Newark

MOSFET, N-CH, 800V, 4.1A, 62.5W; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 4.1A; Drain Source Voltage Vds: 800V; On Resistance Rds(on): 1.25ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Powe

Farnell