SIHG24N80AEF-GE3 by Vishay

Vishay SIHG24N80AEF-GE3

Mosfet, N-Ch, 800V, 20A, To-247Ac Rohs Compliant: Yes |Vishay SIHG24N80AEF-GE3

$ 2.448

Production

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	Distributor		SKU		Min	Pkg
	Newark		SIHG24N80AEF-GE3	272	1		5.880	3.930	2.830	2.610	2.610
	TME	2	SIHG24N80AEFGE3-0	500	175					2.900	2.900	22h
	DigiKey		742-SIHG24N80AEF-GE3-ND	362	1	Tube	6.110	4.083	2.934	2.286	2.189
	TTI		SIHG24N80AEF-GE3	0	500	Tube				2.300	2.300	11h
	Avnet		SIHG24N80AEF-GE3	0	500					2.366	2.189	11h

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IHS

Datasheet9 页4 年前

Future Electronics

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供应链

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2021-12-20

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

描述

由其分销商提供的 Vishay SIHG24N80AEF-GE3 的描述。

Mosfet, N-Ch, 800V, 20A, To-247Ac Rohs Compliant: Yes |Vishay SIHG24N80AEF-GE3

Transistor MOSFET N-Channel 800V 20A 3-Pin TO-247AC

EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode TO-247AC, 195 m 10V

Future Electronics

Trans MOSFET N-CH 800V 20A Tube

Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 800V, 0.195ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC

Vishay NMOS, Vds=850 V, 20 A, TO-247AC

图片

制造商别名

Vishay 在全球拥有多个品牌，分销商可将其用作替代名称。Vishay 也可称为以下名称：

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技术规格

Physical

Number of Terminals3

Technical

Continuous Drain Current (ID)20 A

Drain to Source Resistance195 mΩ

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation208 W

Min Breakdown Voltage800 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

数据表和文档

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Datasheet9 页4 年前

Future Electronics

合规

环境分类

RoHSCompliant

合规声明

Rohs Statement5 页14 年前