Vishay SIHB065N60E-GE3

Name: Vishay SIHB065N60E-GE3
Brand: Vishay
SKU: SIHB065N60E-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

$ 2.471

Production

制造商页面数据表

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Avnet	SIHB065N60E-GE3	1,000	1K					2.568	2.445	2d
Newark	SIHB065N60E-GE3	2,137	1		5.520	3.950	2.650	2.010	2.010
Verical	SIHB065N60E-GE3	790	3			1.725	1.644	1.590	1.590
Arrow Electronics	SIHB065N60E-GE3	790	1		1.752	1.725	1.644	1.590	1.590
TTI	SIHB065N60E-GE3	800	50	Tube			2.400	2.300	2.230	1d

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IHS

Datasheet9 页5 年前

Future Electronics

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供应链

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2018-08-20

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

描述

由其分销商提供的 Vishay SIHB065N60E-GE3 的描述。

Trans MOSFET N-CH 600V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Verical

Transistor MOSFET N-CH 600V 40A 3-Pin TO-263

Avnet

250W(Tc) 30V 5V@ 250¦ÌA 74nC@ 10 V 1N 600V 65m¦¸@ 16A,10V 40A 2.7nF@100V TO-263-3

UnikeyIC

MOSFET E SERIES 600V D2PAK (TO-2

Fly-Wing Technology

Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 600V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

IHS

Mosfet, N-Ch, 40A, 600V, To-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(On):0.057Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V; Power Dissipationrohs Compliant: Yes |Vishay SIHB065N60E-GE3

Newark