SIHA690N60E-GE3 by Vishay

Vishay SIHA690N60E-GE3

Mosfet, N-Ch, 600V, 4.3A, 150Deg C, 29W Rohs Compliant: Yes |Vishay SIHA690N60E-GE3

$ 0.908

Production

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	Distributor		SKU		Min	Pkg
	DigiKey		SIHA690N60E-GE3-ND	1,000	1	Tube	2.780	1.790	1.227	0.908	0.751
	TME	2	SIHA690N60E-GE3	0	1		2.500	1.650	1.230	1.230	1.230	7h
	TTI		SIHA690N60E-GE3	0	1K	Tape & Reel				0.860	0.860	20h
	Newark		SIHA690N60E-GE3	0	1		2.930	2.010	1.480	1.200	1.200
	Avnet		SIHA690N60E-GE3	0	1K					0.859	0.771	20h

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IHS

Datasheet8 页6 年前

Future Electronics

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供应链

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2019-06-16

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

描述

由其分销商提供的 Vishay SIHA690N60E-GE3 的描述。

Mosfet, N-Ch, 600V, 4.3A, 150Deg C, 29W Rohs Compliant: Yes |Vishay SIHA690N60E-GE3

Vishay NMOS E, Vds=650 V, 2.7 A,4.3 A, TO-220 FP, , 3

Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 600V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 4.3A, 150度 C, 29W;

图片

Future Electronics

制造商别名

Vishay 在全球拥有多个品牌，分销商可将其用作替代名称。Vishay 也可称为以下名称：

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技术规格

Physical

Number of Terminals3

Technical

Continuous Drain Current (ID)4.3 A

Drain to Source Resistance700 mΩ

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation29 W

Min Breakdown Voltage600 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

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Datasheet8 页6 年前

Future Electronics

合规

环境分类

RoHSCompliant

合规声明

Rohs Statement5 页14 年前