Vishay SIDR626DP-T1-GE3

Name: Vishay SIDR626DP-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: SIDR626DP-T1-GE3

Single N-Channel 60 V 1.7 mOhm SMT TrenchFET® Power Mosfet - PowerPAK SO-8DC

$ 1.83

NRND

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	SIDR626DP-T1-GE3	1,946	5	Cut Tape		3.450	2.440	2.220	2.220
Arrow Electronics	2	SIDR626DP-T1-GE3	4,740	1		1.110	1.110	1.110	1.110	1.110
Verical		SIDR626DP-T1-GE3	4,740	2			1.110	1.110	1.110	1.110
DigiKey	2	SIDR626DP-T1-GE3CT-ND	492	1	Cut Tape	4.600	3.033	2.142	1.830	1.830
TME	2	SIDR626DP-T1-GE3	0	3K						2.179*	4h

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IHS

Datasheet9 页5 年前

Future Electronics

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供应链

Country of OriginIsrael

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2017-07-17

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)

描述

由其分销商提供的 Vishay SIDR626DP-T1-GE3 的描述。

Single N-Channel 60 V 1.7 mOhm SMT TrenchFET® Power Mosfet - PowerPAK SO-8DC

Future Electronics

6.25W(Ta),125W(Tc) 20V 3.4V@ 250¦ÌA 102nC@ 10 V 1N 60V 1.7m¦¸@ 20A,10V 42.8A,100A 5.13nF@30V

UnikeyIC

Trans MOSFET N-CH 60V 42.8A 8-Pin PowerPAK SO-DC EP T/R

Verical

Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 60V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

MOSFET N-CH 60V 42.8A/100A PPAK

Vigor Components

Mosfet, N-Ch, 60V, 100A, 150Deg C, 125W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(On):0.0014Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.4V; Power Rohs Compliant: Yes |Vishay SIDR626DP-T1-GE3

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