Vishay SI7655ADN-T1-GE3

Name: Vishay SI7655ADN-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: SI7655ADN-T1-GE3

20V 40A 3.6m´Î@10V20A 57W 1.1V@250Ã×A P Channel PowerPAK 1212-8S MOSFETs ROHS

$ 0.478

NRND

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		SI7655ADN-T1-GE3	8,534	1		1.820	1.080	0.598	0.460	0.460
Verical		SI7655ADN-T1-GE3	2,302	64				0.628	0.507	0.507
TME	2	SI7655ADN-T1-GE3	2,302	1		1.430	0.897	0.607	0.454	0.432	19h
DigiKey	3	SI7655ADN-T1-GE3CT-ND	15,737	1	Cut Tape	1.590	1.006	0.669	0.478	0.478
TTI		SI7655ADN-T1-GE3	15,000	3K	Tape & Reel					0.372	1d

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Datasheet9 页7 年前

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供应链

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)

描述

由其分销商提供的 Vishay SI7655ADN-T1-GE3 的描述。

20V 40A 3.6m´Î@10V20A 57W 1.1V@250Ã×A P Channel PowerPAK 1212-8S MOSFETs ROHS

Dasenic

Trans MOSFET P-CH 20V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

Avnet Japan

MOSFET -20V .0036ohm@-10V -40A P-Ch T-FET

Future Electronics

Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 20V, 0.0036ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

4.8W(Ta),57W(Tc) 12V 1.1V@ 250¦ÌA 225nC@ 10 V 1P 20V 3.6m¦¸@ 20A,10V 40A 6.6nF@10V 3.3mm*3.3mm*780¦Ìm

UnikeyIC

MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S

Vigor Components

P-CH POWERPAK 1212-8 BWL 20V 3.6MOHM @ 10V

Avnet

Transistor Polarity:p Channel; Drain Source Voltage Vds:20V; Continuous Drain Current Id:40A; On Resistance Rds(On):0.003Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:-; No. Of Pins:8Pinsrohs Compliant: Yes

Newark