Vishay SI4850BDY-T1-GE3

Name: Vishay SI4850BDY-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: SI4850BDY-T1-GE3

Transistor MOSFET N-CH 60V 11.3A 8-Pin SOIC

$ 0.387

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	SI4850BDY-T1-GE3	6,672	1	Cut Tape	0.152	0.152	0.108	0.074	0.068
Arrow Electronics		SI4850BDY-T1-GE3	799	1		0.467	0.434	0.398	0.387	0.387
Verical		SI4850BDY-T1-GE3	799	16				0.398	0.387	0.387
DigiKey	3	SI4850BDY-T1-GE3CT-ND	2,305	1	Cut Tape	1.610	1.018	0.677	0.484	0.484
TTI		SI4850BDY-T1-GE3	2,500	2500	Tape & Reel					0.386	1d

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IHS

Datasheet8 页5 年前

Future Electronics

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供应链

Country of OriginGermany

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2017-10-17

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

描述

由其分销商提供的 Vishay SI4850BDY-T1-GE3 的描述。

Transistor MOSFET N-CH 60V 11.3A 8-Pin SOIC

Avnet

2.5W(Ta),4.5W(Tc) 20V 2.8V@ 250¦ÌA 17nC@ 10 V 1N 60V 19.5m¦¸@ 10A,10V 8.4A,11.3A 790pF@30V SOIC-8

UnikeyIC

N-Channel 60-V (D-S) Mosfet |Vishay SI4850BDY-T1-GE3

Newark

Power Field-Effect Transistor, 11.3A I(D), 60V, 0.0195ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA

IHS

MOSFET N-CH 60V 8.4A/11.3A 8SO

Vigor Components

MOSFET, N-CH, 60V, 11.3A, SOIC; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 11.3A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.016ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.8V; Po

Farnell