Vishay SI3993CDV-T1-GE3

Name: Vishay SI3993CDV-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: SI3993CDV-T1-GE3

SI3993CDV-T1-GE3 Dual P-channel MOSFET Transistor; 2.3 A; 30 V; 6-Pin TSOP

$ 0.224

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	SI3993CDV-T1-GE3	3,000	1	Cut Tape	0.608	0.608	0.244	0.167	0.167
Rutronik		TMOS2900	27,000	3K						0.229	4h
DigiKey	2	SI3993CDV-T1-GE3CT-ND	4,363	1	Cut Tape	0.820	0.507	0.327	0.224	0.224
Verical	2	SI3993CDV-T1-GE3	3,000	3K						0.141
Arrow Electronics	2	SI3993CDV-T1-GE3	6,000	3K						0.187

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Future Electronics

Datasheet9 页3 年前

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供应链

Country of OriginGermany

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2011-06-10

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)

描述

由其分销商提供的 Vishay SI3993CDV-T1-GE3 的描述。

SI3993CDV-T1-GE3 Dual P-channel MOSFET Transistor; 2.3 A; 30 V; 6-Pin TSOP

Fly-Wing Technology

Si3993CDV Series 30 V 0.111 Ohm Surface Mount Dual P-Channel MOSFET - TSOP-6

Future Electronics

DUAL P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 30V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA

ComSIT Distribution GmbH

MOSFET, PP CH, 30V, 2.9A, W/D, TSOP6; Transistor Polarity:P Channel; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Power Dissipation Pd:1.4W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TSOP; No. of Pins:6; Continuous Drain Current Id:-2.9A; Drain Source Voltage Vds:-30V; Module Configuration:Dual; On Resistance Rds(on):0.092ohm; Power Dissipation Pd:1.4W

Farnell