Vishay IRFU024PBF

Name: Vishay IRFU024PBF
Brand: Vishay
SKU: IRFU024PBF

Single N-Channel 60 V 0.1 Ohms Through Hole Power Mosfet - IPAK (TO-251)

$ 0.819

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	19K8188	3,000	3K						1.250	2d
Newark		IRFU024PBF	2,980	1		3.020	1.550	1.270	1.250	1.250
DigiKey		IRFU024PBF-ND	4,118	1	Tube	2.660	2.660	1.221	0.932	0.733
TTI		IRFU024PBF	2,475	75	Tube			0.746	0.721	0.713	3h
TME	2	IRFU024PBF	0	1		1.690	0.978	0.873	0.824	0.644	22h

数据表和文档

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Newark

Datasheet13 页4 年前

Datasheet11 页14 年前

Datasheet8 页16 年前

Datasheet8 页17 年前

Datasheet11 页11 年前

IHS

Farnell

Future Electronics

库存历史记录

3 个月趋势:

+22.51%

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供应链

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1990-01-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

描述

由其分销商提供的 Vishay IRFU024PBF 的描述。

Single N-Channel 60 V 0.1 Ohms Through Hole Power Mosfet - IPAK (TO-251)

Future Electronics

Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA

ComSIT Distribution GmbH

MOSFET, N, I-PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 16A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 5

Farnell