STMicroelectronics STW26NM60N

Name: STMicroelectronics STW26NM60N
Brand: STMicroelectronics
SKU: STW26NM60N

N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 20 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-247 package

$ 3.24

Production

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Distributor		SKU		Min
Avnet	3	15AC4532	391	600				3.950	3.950	16h
Newark	2	STW26NM60N	6,297	1	6.790	5.090	4.670	4.050	4.050
Arrow Electronics		STW26NM60N	3,186	1	2.787	2.371	2.103	2.103	2.103
Verical		STW26NM60N	3,184	4		2.389	2.119	2.119	2.119
TME	2	STW26NM60N	207	1	7.090	4.240	3.240	2.350	2.350	12h

数据表和文档

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Newark

Datasheet13 页13 年前

Datasheet12 页9 年前

element14 APAC

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iiiC

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供应链

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2009-04-29

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

描述

由其分销商提供的 STMicroelectronics STW26NM60N 的描述。

N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 20 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-247 package

STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube / MOSFET N-CH 600V 20A TO-247

Win Source

STW26NM60N N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 20 A, 600 V, 3-PIN TO-247

RS (Formerly Allied Electronics)

Single N-Channel 600 V 140 W 60 nC MDmesh Through Hole Mosfet - TO-247-3

Future Electronics

Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 600V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247

IHS

Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:20A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V; Power Dissipation:140W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STW26NM60N.

Newark