STMicroelectronics STW18NM80

Name: STMicroelectronics STW18NM80
Brand: STMicroelectronics
SKU: STW18NM80

N-channel 800 V, 0.25 Ohm, 17 A, MDmesh(TM) Power MOSFET in TO-247 package

$ 3.842

Production

制造商页面数据表

价格与库存

授权分销商

未经授权的库存分销商

非授权经销商

查看所有价格优惠

Distributor		SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics		STW18NM80	600	600					3.869	3.869
Verical		STW18NM80	600	600					3.623	3.623
TME	2	STW18NM80	0	1		7.870	5.630	4.230	3.600	3.460	41m
Avnet		STW18NM80	0	600					3.814	3.587	4d
RS (Formerly Allied Electronics)		STW18NM80	0	1	Bulk	3.540	3.540	3.540	3.540	3.540	4h

数据表和文档

下载 STMicroelectronics STW18NM80 的数据表和制造商文档。

TME

Datasheet21 页14 年前

Factory Futures

iiiC

库存历史记录

3 个月趋势:

-54.60%

Powered by

CAD 模型

从我们值得信赖的合作伙伴处下载 STMicroelectronics STW18NM80 符号、封装和 3D STEP 模型。

来源	eCAD	mCAD	文件
Component Search Engine	符号封装	3D	下载
SnapEDA	封装		下载

下载 CAD 模型时，合作伙伴网站将在新标签页中打开

从 Octopart 下载 CAD 模型，即表示您同意我们的条款和条件以及隐私政策。

供应链

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2009-04-20

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

描述

由其分销商提供的 STMicroelectronics STW18NM80 的描述。

N-channel 800 V, 0.25 Ohm, 17 A, MDmesh(TM) Power MOSFET in TO-247 package

STMicroelectronics

STW18NM80 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 17 A, 800 V, 3-PIN TO-247

RS (Formerly Allied Electronics)

Single N-Channel 800 V 190 W 70 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-247-3

Future Electronics

Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 800V, 0.295ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247

IHS

N Channel Power Mosfet, Mdmesh, 800V, 17A, To-247; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:800V; Continuous Drain Current Id:17A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Power Dissipation:190W; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STW18NM80

Newark