STMicroelectronics STP9N65M2

Name: STMicroelectronics STP9N65M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: STP9N65M2

N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

$ 0.753

Production

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Newark	STP9N65M2	801	1		1.250	1.250	1.250	1.250	1.250
Avnet	STP9N65M2	0	1K					0.712	0.702	6h
Farnell	STP9N65M2	801	1		2.357*	1.826*	1.526*	0.684*	0.670*	1d
element14 APAC	STP9N65M2	801	1		1.896*	1.714*	1.375*	0.956*	0.956*	18h
Mouser	511-STP9N65M2	903	1	Tube	2.300	1.790	1.490	0.727	0.727

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IHS

Datasheet28 页6 年前

Newark

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供应链

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2014-07-16

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

描述

由其分销商提供的 STMicroelectronics STP9N65M2 的描述。

N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

STMicroelectronics

MOSFET N-CH 650V 5A TO220 / N-Channel 650 V 5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220

Win Source

60W(Tc) 25V 4V@ 250¦ÌA 10nC@ 10 V 1N 650V 900m¦¸@ 2.5A,10V 5A 315pF@100V TO-220 9.15mm

UnikeyIC

Trans MOSFET N-CH 650V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Verical

Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 650V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IHS

MOSFET, N CHANNEL, 650V, 5A, TO-220-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 5A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.79ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V;

Farnell