STMicroelectronics STP6NK60Z

Name: STMicroelectronics STP6NK60Z
Brand: STMicroelectronics
SKU: STP6NK60Z

Transistor MOSFET N Channel 600 Volt 6 Amp 3-Pin 3+ Tab TO-220 Tube

$ 0.925

Production

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Distributor		SKU		Min
Avnet		STP6NK60Z	670	1K				0.753	0.721	9h
Newark	2	STP6NK60Z	2	1	2.360	1.340	1.230	1.230	1.230
Arrow Electronics		STP6NK60Z	8,024	1	0.963	0.963	0.944	0.925	0.910
Verical	2	STP6NK60Z	45	9		0.946	0.927	0.909	0.883
TME	2	STP6NK60Z	47	1	1.890	1.040	0.850	0.800	0.800	5h

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ODG (Origin Data Global)

Datasheet17 页20 年前

Newark

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Nu Horizons

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供应链

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1980-01-04

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

描述

由其分销商提供的 STMicroelectronics STP6NK60Z 的描述。

Transistor MOSFET N Channel 600 Volt 6 Amp 3-Pin 3+ Tab TO-220 Tube

Jameco

N-channel 600 V - 1 Ohm - 6 A - TO-220 Zener-Protected SuperMESH(TM) Power MOSFET

STMicroelectronics

110W(Tc) 30V 4.5V@ 100¦ÌA 46nC@ 10 V 1N 600V 1.2¦¸@ 3A,10V 6A 905pF@25V TO-220 9.15mm

Unikeyic (ICkey)

Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IHS

MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 6A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 1.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Power Dissipation

Farnell

Mosfet, N, To-220; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:6A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:600V; Resistencia De Activación Rds(On):1.2Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V; Tensión Umbral Vgs:3.75V |Stmicroelectronics STP6NK60Z

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