STMicroelectronics STP5NK80Z

Name: STMicroelectronics STP5NK80Z
Brand: STMicroelectronics
SKU: STP5NK80Z

N-channel 800 V, 1.9 Ohm, 4.3 A, Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in TO-220 package

$ 1.087

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Future Electronics	2	STP5NK80Z	2,000	20	Tube			1.100	1.070	1.050
Avnet	2	38K7926	30	1		2.480	1.700	1.550	1.230	1.230	5d
Newark		STP5NK80Z	30	1		2.430	1.690	1.540	1.210	1.210
Arrow Electronics	2	STP5NK80Z	6,449	1		2.766	1.469	1.336	1.000	0.921
Verical	2	STP5NK80Z	6,449	12				1.344	1.005	0.926

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STMicroelectronics

Datasheet5 页20 年前

element14 APAC

TME

Future Electronics

element14

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供应链

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

描述

由其分销商提供的 STMicroelectronics STP5NK80Z 的描述。

N-channel 800 V, 1.9 Ohm, 4.3 A, Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in TO-220 package

STMicroelectronics

STP5NK80Z N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 4.3 A, 800 V, 3-PIN TO-220

RS (Formerly Allied Electronics)

Trans MOSFET N-CH 800V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Verical

MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 4.3A; Drain Source Voltage Vds: 800V; On Resistance Rds(on): 1.9ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Power Dissipatio

Farnell

Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 800V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

Semicontronic

N Channel Mosfet, 800V, 4.3A To-220; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:4.3A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:800V; Resistencia De Activación Rds(On):1.9Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V |Stmicroelectronics STP5NK80Z

Newark