STMicroelectronics STP30N65M5

Name: STMicroelectronics STP30N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: STP30N65M5

N-channel 650 V, 0.125 Ohm, 22 A, MDmesh(TM) V Power MOSFET TO-220

$ 3.6

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Future Electronics		STP30N65M5	150	50	Tube			4.430	4.270	4.230
DigiKey		497-10078-5-ND	2,592	1	Tube	8.060	8.060	3.994	3.167	3.167
TME	2	STP30N65M5	0	1		7.060	4.790	3.600	3.600	3.600	22h
Newark		STP30N65M5	0	1		8.590	5.020	4.830	4.810	4.810
Avnet		STP30N65M5	0	1K					3.207	3.071	2d

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element14 APAC

Datasheet22 页20 年前

Newark

iiiC

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供应链

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2009-01-22

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

描述

由其分销商提供的 STMicroelectronics STP30N65M5 的描述。

N-channel 650 V, 0.125 Ohm, 22 A, MDmesh(TM) V Power MOSFET TO-220

STMicroelectronics

Transistor MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin (3+Tab) TO-220 Tube

North Star Micro

140W(Tc) 25V 5V@ 250¦ÌA 64nC@ 10 V 1N 650V 139m¦¸@ 11A,10V 22A 2.88nF@100V TO-220

UnikeyIC

N-channel 650 V, 0.125 Ω, 22 A, MDmesh™ V Power MOSFET D²PAK, TO-220FP, I²PAK, TO-220, TO-247 | MOSFET N-CH 650V 22A TO220

Win Source

Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 650V, 0.139ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IHS

Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:650V; Continuous Drain Current Id:22A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Power Dissipation:140W; No. of Pins:3Pins RoHS Compliant: Yes

Newark