STMicroelectronics STD2NK90Z-1

Name: STMicroelectronics STD2NK90Z-1
Brand: STMicroelectronics
SKU: STD2NK90Z-1

N-channel 900V - 5.5 Ohm - 2.1A - Dpak Zener-protected Supermesh Mosfet

$ 1.009

Production

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Newark	STD2NK90Z-1	51	1		1.870	1.700	1.700	1.180	1.090
Arrow Electronics	STD2NK90Z-1	5,475	3K						0.323
Verical	STD2NK90Z-1	3,000	3K						0.322
DigiKey	497-STD2NK90Z-1-ND	836	1	Tube	2.850	2.850	1.317	1.009	0.797
Future Electronics	STD2NK90Z-1	0	3K	Tube					1.040

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STMicroelectronics

Datasheet18 页20 年前

Newark

Future Electronics

iiiC

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供应链

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

描述

由其分销商提供的 STMicroelectronics STD2NK90Z-1 的描述。

N-CHANNEL 900V - 5.5 Ohm - 2.1A - DPAK ZENER-PROTECTED SUPERMESH MOSFET

STMicroelectronics

N-channel 900 V, 5 Ohm typ., 2.1 A SuperMESH Power MOSFET in IPAK package

Ciiva

N-CHANNEL 900V-5 OHM-2.1A-IPAK ZENER-PROTECTED SUPER MESH MOSFET Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 900V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA

ComSIT Distribution GmbH

MOSFET, N CH, 900V, 2.1A, IPAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 1.05A; Drain Source Voltage Vds: 900V; On Resistance Rds(on): 5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Powe

Farnell

Mosfet, N Channel, 900V, 2.1A, Ipak; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:1.05A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:900V; Resistencia De Activación Rds(On):5Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V |Stmicroelectronics STD2NK90Z-1

Newark